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J-GLOBAL ID：200902165528645691   Reference number：98A0964026

Room-Temperature 2.2-μm InAs-InGaAs-InP Highly Strained Multiquantum-Well Lasers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy.

ガス源分子ビームエピタクシーで成長させた室温の2.2μm InAs-InGaAs-InP高歪層量子井戸レーザ

Author (3)： WANG J-S (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN H-H (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  SUNG L-W (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
Material： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE J Quantum Electron)
Volume： 34  Issue： 10  Page： 1959-1962  Publication year： Oct. 1998 
JST Material Number： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...

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JST classification (2)： Semiconductor lasers  (BD04070L) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： ガス源分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  室温 ,  InAs ,  InGaAs ,  InP ,  歪層量子井戸 ,  レーザ