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J-GLOBAL ID：200902165751227877   Reference number：00A0027399

Progress and Outlook for MRAM Technology.

MRAM技術の進展と展望

Author (6)： TEHRANI S (Motorola Lab.) ,  SLAUGHTER J M (Motorola Lab.) ,  CHEN E (Motorola Lab.) ,  DURLAM M (Motorola Lab.) ,  SHI J (Motorola Lab.) ,  DEHERRERA M (Motorola Lab.)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 35  Issue： 5,Pt.1  Page： 2814-2819  Publication year： Sep. 1999 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *magnetoresistance effect ,...
Semi thesaurus term： MRAM【メモリ】 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Electronic conduction in metals in general  (BM03031E)

Terms in the title (3)： MRAM ,  進展 ,  展望