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J-GLOBAL ID：200902166575005370   Reference number：00A0147191

The impact of bias temperature instability for direct-tunneling ultra-thin gate oxide on MOSFET scaling.

直接トンネリング超薄ゲート酸化膜のバイアス温度不安定性がMOSFETのスケーリングにおよぼす影響

Author (6)： KIMIZUKA N (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAMOTO T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MOGAMI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAGUCHI K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  IMAI K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HORIUCHI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Symposium on VLSI Technology)
Volume： 1999  Page： 73-74  Publication year： 1999 
JST Material Number： A0035B  ISSN： 0743-1562  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： B-T試験 ,...

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JST classification (2)： Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 直接トンネリング ,  ゲート酸化膜 ,  バイアス温度不安定性 ,  MOSFET ,  スケーリング