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J-GLOBAL ID：200902167126495394   Reference number：02A0103275

On the Advanced Control Techniques of Crystal Growth using Seed Crystals or Nuclei. Growth of Silicon Film for TFTs on Glass Substrate by Using Laser Crystallization.

バルク成長分科会特集 種結晶(核)からの結晶成長制御について レーザ結晶化法によるTFT用Si結晶の成長技術

Author (4)： HARA AKITO (富士通研) ,  YOSHINO KEN'ICHI (富士通研) ,  TAKEUCHI FUMIYO (富士通研) ,  SASAKI NOBUO (富士通研)
Material： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
Volume： 28  Issue： 5  Page： 306-315  Publication year： Dec. 25, 2001 
JST Material Number： F0452B  ISSN： 0385-6275  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *laser irradiation ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (18)：

• SAMESHIMA, T. IEEE Electron Device Lett. 1986, EDL-7, 276
• SERA, K. IEEE Trans. Electron Devices. 1989, ED-36, 2868
• KURIYAMA, H. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, 3700
• IBARAKI, N. Dig. of Tech. Papers of 1999 SID. 1999, 172
• 古川静二郎. SOI構造形成技術. 1987

Terms in the title (10)： バルク ,  成長 ,  分科会 ,  種結晶 ,  核 ,  結晶成長 ,  レーザ ,  結晶化 ,  TFT ,  Si結晶