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J-GLOBAL ID：200902167260573059   Reference number：02A0213836

Excellent Effects of Hydrogen Postoxidation Annealing on Inversion Channel Mobility of 4H-SiC MOSFET Fabricated on (11-20) Face.

4H-SiCの(11-20)面上に作製されたMOSFETの反転チャネル移動度の水素酸化後アニーリングの優れた効果

Author (7)： SENZAKI J (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA K (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  HARADA S (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOSUGI R (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S (Ultralow-Loss Power Device Technol. Res. Body and R&D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI T (Ultralow-Loss Power Device Technol. Res. Body and R&D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA K (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 23  Issue： 1  Page： 13-15  Publication year： Jan. 2002 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： 4H-SiC

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (8)： 4H-SiC ,  作製 ,  MOSFET ,  反転 ,  チャネル移動度 ,  水素 ,  酸化 ,  アニーリング