Art

J-GLOBAL ID：200902167779568214   Reference number：94A0947863

Formation of silicide at metal/silicon interfaces and low-resistivity contacts.

金属/シリコン界面におけるシリサイド形成と低抵抗コンタクト

Author (2)： ZAIMA SHIGEAKI (名古屋大 工) ,  YASUDA YUKIO (名古屋大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 63  Issue： 11  Page： 1093-1105  Publication year： Nov. 1994 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： silicon ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0947863&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0252A") }}

JST classification (1)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Reference (55)：

• DENNARD, R. H. IEEE J. Solid-State Circuits. 1974, SC-9, 256
• COWLEY, A. M. J. Appl. Phys. 1964, 36, 3212
• 長谷川英機. 応用物理. 1991, 60, 1214
• TUNG, R. T. Phys. Rev. Lett. 1984, 52, 461
• SZE, S. M. Physics of Semiconductor Devices. 1981, Chap. 5

Terms in the title (5)： シリコン ,  界面 ,  シリサイド ,  低抵抗 ,  コンタクト