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J-GLOBAL ID：200902167852116653   Reference number：96A0243202

Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors.

前駆体ルートペンタセン金属-絶縁膜-半導体電界効果トランジスタ

Author (7)： BROWN A R (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  POMP A (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  DE LEEUW D M (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  KLAASSEN D B M (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  HAVINGA E E (Philips Res. Lab., Eindhoven, NLD) ,  HERWIG P (Max-Planck-Inst. Polymerforschung, Mainz, DEU) ,  MUELLEN K (Max-Planck-Inst. Polymerforschung, Mainz, DEU)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 79  Issue： 4  Page： 2136-2138  Publication year： Feb. 15, 1996 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...
Semi thesaurus term： 反転回路 ,...

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JST classification (3)： Transistors  (NC03070N) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Amplification circuits  (NC05040U)

Terms in the title (4)： 前駆体 ,  ペンタセン ,  絶縁膜 ,  電界効果トランジスタ