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J-GLOBAL ID：200902167861761529   Reference number：98A0409386

Generation and suppression process of crystalline defects in GaP layers grown on misoriented Si(100) substrates.

不整方位Si(100)基板上に成長させたGaP層中の結晶欠陥の発生及び低減過程

Author (5)： TAKAGI Y (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  YONEZU H (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  SAMONJI K (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  TSUJI T (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN) ,  OHSHIMA N (Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 187  Issue： 1  Page： 42-50  Publication year： Apr. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (7)： 不整 ,  方位 ,  Si ,  成長 ,  GAP ,  結晶欠陥 ,  過程