Art

J-GLOBAL ID：200902168108345985   Reference number：97A0505135

Potential Design and Transport Property of 0.1-μm MOSFET with Asymmetric Channel Profile.

非対称チャネルプロファイルを有する0.1μmMOSFETのポテンシャル設計と輸送特性

Author (2)： ODANAKA S (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  HIROKI A (Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 44  Issue： 4  Page： 595-600  Publication year： Apr. 1997 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Monte Carlo Method ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0505135&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： 対称チャネル ,  プロファイル ,  ポテンシャル ,  設計 ,  輸送特性