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J-GLOBAL ID：200902168162852477   Reference number：99A0581027

Ultra-Thin(<5nm) High Quality Silicon Nitride Gate Dielectrics Fabricated by Catalytic Chemical Vapor Deposition at Low Temperature(<300°C).

触媒CVD法による高品質な極薄SiNxゲート絶縁膜の作製

Author (3)： SATO HIROKAZU (北陸先端科学技術大学院大) ,  IZUMI AKIRA (北陸先端科学技術大学院大) ,  MATSUMURA HIDEKI (北陸先端科学技術大学院大)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 59th  Issue： 2  Page： 721  Publication year： Sep. 1998 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (4)： 触媒CVD ,  高品質 ,  ゲート絶縁膜 ,  作製