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J-GLOBAL ID：200902168918812504   Reference number：95A0756442

GaN thin films deposited via organometallic vapor phase epitaxy on α(6H)-SiC(0001) using high-temperature monocrystalline AlN buffer layers.

高温単結晶AlNバッファ層を用いたα(6H)-SiC(0001)上に有機金属気相エピタクシーにより蒸着したGaN薄膜

Author (6)： WEEKS T W JR (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  BREMSER M D (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  AILEY K S (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  CARLSON E (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  PERRY W G (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  DAVIS R F (North Carolina State Univ., North Carolina)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 3  Page： 401-403  Publication year： Jul. 17, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 単結晶 ,  AlN ,  バッファ層 ,  SiC ,  有機金属気相エピタクシー ,  蒸着 ,  GaN ,  薄膜