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J-GLOBAL ID：200902169902147027   Reference number：98A0330233

Si and SiC layer transfer by high temperature hydrogen implantation and lower temperature layer splitting.

高温水素注入と低温層分離によるSi層とSiC層の転写

Author (5)： TONG Q-Y (Duke Univ., NC, USA) ,  LEE T-H (Duke Univ., NC, USA) ,  HUANG L-J (Duke Univ., NC, USA) ,  CHAO Y-L (Duke Univ., NC, USA) ,  GOESELE U (Duke Univ., NC, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 34  Issue： 4  Page： 407-408  Publication year： Feb. 19, 1998 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *ion implantation ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： 水素 ,  注入 ,  低温 ,  Si層 ,  SiC ,  転写