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J-GLOBAL ID：200902170013742337   Reference number：99A0948189

Theoretical and Experimental Analysis of Leakage Current in InGaAsP BH Lasers with p-n-p-n Current Blocking Layers.

p-n-p-n電流阻止層を備えたInGaAsP埋め込みヘテロ構造レーザの漏れ電流の理論的並びに実験的な解析

Author (5)： YOSHIDA Y (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  WATANABE H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIBATA K (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  TAKEMOTO A (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN) ,  HIGUCHI H (Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
Material： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE J Quantum Electron)
Volume： 35  Issue： 9  Page： 1332-1336  Publication year： Sep. 1999 
JST Material Number： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum well laser ,...
Semi thesaurus term： PNPN junction

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (9)： 阻止 ,  InGaAsP ,  埋め込み ,  ヘテロ構造 ,  レーザ ,  漏れ電流 ,  理論 ,  実験 ,  解析