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J-GLOBAL ID：200902170495671873   Reference number：01A1010208

Si₃N₄/AlGaN/GaN-metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors.

Si₃N₄/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ

Author (8)： HU X (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  KOUDYMOV A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  SIMIN G (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  ASIF KHAN M (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  TARAKJI A (Sensor Electronic Technol., Inc., New York) ,  SHUR M S (Sensor Electronic Technol., Inc., New York) ,  GASKA R (Sensor Electronic Technol., Inc., New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 79  Issue： 17  Page： 2832-2834  Publication year： Oct. 22, 2001 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon compound ,...

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： Si3N4 ,  AlGaN ,  GaN ,  絶縁体 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ