Art

J-GLOBAL ID：200902170690009972   Reference number：99A0931623

Reduced Low-Frequency Noise Schottky Barrier Diodes for Terahertz Applications.

テラヘルツ帯応用のための低周波数雑音を抑圧したSchottky障壁ダイオード

Author (9)： SUZUKI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YASUI T (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  FUJISHIMA H (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  NOZOKIDO T (Rutherford Appleton Lab.(RAL), Oxon, GBR) ,  ARAKI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  BORIC-LUBECKE O (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  LUBECKE V M (Inst. Physical and Chemical Res., Sendai, JPN) ,  WARASHINA H (Sendai National Coll. Technol., Sendai, JPN) ,  MIZUNO K (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Trans Microw Theory Tech)
Volume： 47  Issue： 9,Pt.1  Page： 1649-1655  Publication year： Sep. 1999 
JST Material Number： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *Schottky barrier diode ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0931623&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0229A") }}

JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor-metal contacts  (BM03084G)

Terms in the title (5)： テラヘルツ ,  応用 ,  低周波数雑音 ,  抑圧 ,  Schottky障壁ダイオード