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J-GLOBAL ID：200902170795613891   Reference number：02A0622569

Control of n-type conduction for Si-doped AlN and AlGaN with high Al content.

SiドープAlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御

Author (3)： TANIYASU YOSHITAKA (NTT 物性科学基礎研) ,  KASU MAKOTO (NTT 物性科学基礎研) ,  KOBAYASHI NAOKI (NTT 物性科学基礎研)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 102  Issue： 114(ED2002 44-72)  Page： 61-64  Publication year： Jun. 13, 2002 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...
Semi thesaurus term： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (7)： Si ,  ドープ ,  AlN ,  Al ,  組成 ,  AlGaN ,  N型伝導