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J-GLOBAL ID：200902170919614840   Reference number：97A0421768

Problems in Ultra Shallow Junction Formation for sub 0.1.MU.m MOSFETs.

サブ0.1μmMOSFETへの応用を目指した極浅接合形成における課題

Author (4)： SHIBAHARA KENTARO (広島大) ,  MIFUJI MICHIHIKO (広島大) ,  YOKOYAMA SHIN (広島大) ,  HIROSE MASATAKA (広島大)
Material： 電子情報通信学会大会講演論文集  (電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集)
Volume： 1997  Issue： Sogo Pt 5  Page： 331-332  Publication year： Mar. 1997 
JST Material Number： G0508A  ISSN： 1349-1369  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *submicron process ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： サブ ,  応用 ,  極浅接合