Art

J-GLOBAL ID：200902171408779317   Reference number：98A0779483

Room-temperature continuous-wave operation of GaInN/GaN multiquantum well laser diode.

GaInN/GaN多重量子井戸レーザダイオードの室温連続波動作

Author (8)： KOBAYASHI T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  NAKAMURA F (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  NAGANUMA K (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  TOJYO T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA H (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  ASATSUMA T (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  KAWAI H (Sony Corp., Yokohama, JPN) ,  IKEDA M (Sony Corp., Yokohama, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 34  Issue： 15  Page： 1494-1495  Publication year： Jul. 23, 1998 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (5)： GaN ,  多重量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  室温 ,  連続波