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J-GLOBAL ID：200902171639774504   Reference number：98A0871076

Microstructural Characterisation of Nanocrystalline GaN Prepared by Detonations of Gallium Azides.

ガリウムアジドのデトネーションにより作製したナノ結晶GaNのミクロ構造評価

Author (9)： FRANK A C (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  STOWASSER F (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  STARK O (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  KWAK H-T (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  RUPP A (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  PRITZKOW H (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU) ,  AMBACHER O (Technische Univ. Muenchen, Muenchen, DEU) ,  GIERSIG M (Hahn-Meitner-Inst., Berlin, DEU) ,  FISCHER R A (Univ. Heidelberg, Heidelberg, DEU)
Material： Advanced Materials for Optics and Electronics  (Adv Mater Opt Electron)
Volume： 8  Issue： 3  Page： 135-146  Publication year： May. 1998 
JST Material Number： T0361B  ISSN： 1057-9257  CODEN： AMELE7  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (7)： ガリウム ,  アジド ,  デトネーション ,  作製 ,  ナノ結晶 ,  GaN ,  構造評価