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J-GLOBAL ID：200902171702943559   Reference number：97A0461819

Selective epitaxial growth of GaAs on Si inserting strained short-period superlattices by MBE/MEE.

MBE/MEE法による歪短周期超格子を挿入したSi基板上のGaAs選択成長

Author (5)： TSUJI TAKUTO (豊橋技科大) ,  TAKAGI YASUFUMI (豊橋技科大) ,  YOKOZEKI MIKIHIRO (豊橋技科大) ,  OSHIMA NAOKI (豊橋技科大) ,  YONEZU HIROO (豊橋技科大)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 44th  Issue： 1  Page： 354  Publication year： Mar. 1997 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： MBE ,  短周期 ,  超格子 ,  Si基板 ,  GaAs ,  選択成長