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J-GLOBAL ID：200902171785213425   Reference number：94A0402609

a-SiC:H thin film visible light-emitting diodes with highly conductive wide band gap a-SiC:H as the carrier injection layers.

高伝導性広幅バンドギャップa-SiC:Hをキャリア注入層として用いたa-SiC:H薄膜可視光放出ダイオード

Author (5)： LAU S P (Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR) ,  MARSHALL J M (Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR) ,  DYER T E (Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR) ,  HEPBURN A R (Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR) ,  DAVIES J F (Univ. Coll. Swansea, Swansea, GBR)
Material： Journal of Non-Crystalline Solids  (J Non-Cryst Solid)
Volume： 164/166  Issue： Pt 2  Page： 813-816  Publication year： Dec. 1993 
JST Material Number： D0642A  ISSN： 0022-3093  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： light emitting diode ,...
Semi thesaurus term： forbidden band ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (6)： 広幅バンド ,  ギャップ ,  SiC ,  キャリア注入 ,  薄膜 ,  光放出ダイオード