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J-GLOBAL ID：200902172024514100   Reference number：00A0659220

A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell.

各セルに磁気トンネル接合とFETスイッチを持つ10ns読出し,書込み不揮発性メモリアレイ

Author (7)： SCHEUERLEIN R (IBM Res. Almaden Res. Center, CA) ,  GALLAGHER W (IBM Res. T.J. Watson Res. Center, NY) ,  PARKIN S (IBM Res. Almaden Res. Center, CA) ,  LEE A (IBM Microelectronics Div., CA) ,  RAY S (IBM Microelectronics Div., CA) ,  ROBERTAZZI R (IBM Res. T.J. Watson Res. Center, NY) ,  REOHR W (IBM Res. T.J. Watson Res. Center, NY)
Material： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (ISSCC)
Volume： 43  Page： 128-129  Publication year： Feb. 2000 
JST Material Number： D0753A  ISSN： 0193-6530  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nonvolatile memory ,...
Semi thesaurus term： 磁気トンネル接合 ,...

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Memory units  (JC04060F)

Terms in the title (6)： セル ,  磁気トンネル接合 ,  FETスイッチ ,  読出し ,  書込み ,  不揮発性メモリアレイ