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J-GLOBAL ID：200902172399581360   Reference number：00A0145232

Final Polishing of Ga-Polar GaN Substrates using Reactive Ion Etching.

反応性イオンエッチングを用いたGa-極性GaN基板の最終研磨

Author (7)： KAROUTA F (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  WEYHER J L (Univ. Nijmegen, Nijmegen, NLD) ,  JACOBS B (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  NOWAK G (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  PRESZ A (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GRZEGORY I (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  KAUFMANN L M F (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 28  Issue： 12  Page： 1448-1451  Publication year： Dec. 1999 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RIE ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (5)： 反応性イオンエッチング ,  Ga ,  極性 ,  GaN ,  研磨