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J-GLOBAL ID：200902173590920308   Reference number：01A0527068

Effect of carbon doping on GaN:Er.

GaN:Erに及ぼす炭素ドーピングの効果

Author (6)： OVERBERG M (Univ. Florida, FL, USA) ,  ABERNATHY C R (Univ. Florida, FL, USA) ,  MACKENZIE J D (Cambridge Univ., Cambridge, GBR) ,  PEARTON S J (Univ. Florida, FL, USA) ,  WILSON R G (Stevenson Ranch, CA, USA) ,  ZAVADA J M (U.S. Army European Res. Office, London, GBR)
Material： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Mater Sci Eng B)
Volume： B81  Issue： 1/3  Page： 121-126  Publication year： Apr. 24, 2001 
JST Material Number： T0553A  ISSN： 0921-5107  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photoluminescence ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (3)： GaN ,  Er ,  炭素ドーピング