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J-GLOBAL ID：200902174071756840   Reference number：02A0682941

Compatibility of polycrystalline silicon gate deposition with HfO₂ and Al₂O₃/HfO₂ gate dielectrics.

多結晶シリコンゲート堆積とHfO₂及びAl₂O₃/HfO₂ゲート絶縁体とのコンパチビリティー

Author (9)： GILMER D C (Motorola, Texas) ,  HEGDE R (Motorola, Texas) ,  COTTON R (Motorola, Texas) ,  GARCIA R (Motorola, Texas) ,  DHANDAPANI V (Motorola, Texas) ,  TRIYOSO D (Motorola, Texas) ,  ROAN D (Motorola, Texas) ,  FRANKE A (Motorola, Texas) ,  TOBIN P (Motorola, Texas)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 81  Issue： 7  Page： 1288-1290  Publication year： Aug. 12, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 多結晶シリコン ,  ゲート ,  堆積 ,  HfO2 ,  Al2O3 ,  ゲート絶縁体