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J-GLOBAL ID：200902175019199912   Reference number：00A0641917

Selective growth of InGaN quantum dot structures and their microphotoluminescence at room temperature.

InGaN量子ドット構造の選択成長とそれらの室温におけるミクロ光ルミネセンス

Author (4)： TACHIBANA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SOMEYA T (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ISHIDA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ARAKAWA Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 22  Page： 3212-3214  Publication year： May. 29, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...
Semi thesaurus term： 窒化ガリウムインジウム

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： InGaN ,  量子ドット ,  選択成長 ,  室温 ,  光ルミネセンス