Art

J-GLOBAL ID：200902175248370048   Reference number：97A0416537

Si nanowire growth with ultrahigh vacuum scanning tunneling microscopy.

超高真空走査型トンネル顕微鏡によるSiのナノ細線の成長

Author (3)： ONO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITOH H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ESASHI M (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 70  Issue： 14  Page： 1852-1854  Publication year： Apr. 07, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： field evaporation ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0416537&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Microscopy determination of structures  (BK01040E)

Terms in the title (5)： 高真空 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  Si ,  ナノ細線 ,  成長