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J-GLOBAL ID：200902175252540780   Reference number：95A0298539

Temperature activated conductance in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors operating at temperatures up to 300 °C.

最高300°Cまでの温度で動作するInGaN/AlGaNヘテロ構造電界効果トランジスターの温度活性化コンダクタンス.

Author (6)： KHAN M A (APA Inc., Minnesota) ,  SHUR M S (Univ. Virginia, Virginia) ,  KUZNIA J N (APA Inc., Minnesota) ,  CHEN Q (APA Inc., Minnesota) ,  BURM J (Cornell Univ., New York) ,  SCHAFF W (Cornell Univ., New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 9  Page： 1083-1085  Publication year： Feb. 27, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium compound ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： InGaN ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスター ,  活性化 ,  コンダクタンス