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J-GLOBAL ID：200902175951166495   Reference number：00A1029311

AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors on SiC substrates.

SiC上のAlGaN/GaN金属-酸化物-半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ

Author (7)： KHAN M A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  HU X (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  TARAKJI A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  SIMIN G (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  GASKA R (Sensor Electronic Technol., Inc., New York) ,  SHUR M S (Rensselaer Polytechnic Inst., New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 9  Page： 1339-1341  Publication year： Aug. 28, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： 窒化ガリウムアルミニウム ,...

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JST classification (2)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： SiC ,  AlGaN ,  GaN ,  酸化物 ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ