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J-GLOBAL ID：200902176100716553   Reference number：96A0303468

Quantitative Scanning Capacitance Microscopy Analysis of Two-Dimensional Dopant Concentrations at Nanoscale Dimensions.

ナノメータ尺度での2次元ドーパント濃度の定量的走査型静電容量顕微鏡解析

Author (6)： ERICKSON A (Univ. Utah, UT) ,  SADWICK L (Univ. Utah, UT) ,  NEUBAUER G (Intel Corp., CA) ,  KOPANSKI J (National Inst. Standards and Technol., MD) ,  ADDERTON D (Digital Instruments, CA) ,  ROGERS M (Digital Instruments, CA)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 25  Issue： 2  Page： 301-304  Publication year： Feb. 1996 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion implantation ,...
Semi thesaurus term： 走査型静電容量顕微鏡

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JST classification (2)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (9)： ナノメータ ,  尺度 ,  2次元 ,  ドーパント ,  定量 ,  走査型 ,  静電容量 ,  顕微鏡 ,  解析