Art

J-GLOBAL ID：200902176126034515   Reference number：99A0975313

μc-Si(p)層を用いたアモルファスシリコンセル (2)

Author (7)： SASAKI TOSHIAKI (富士電機総研) ,  FUJIKAKE SHINJI (富士電機総研) ,  TABUCHI KATSUYA (富士電機総研) ,  YOSHIDA TAKASHI (富士電機総研) ,  HAMA TOSHIO (富士電機総研) ,  HARASHIMA KOICHI (富士電機総研) ,  ICHIKAWA YUKIMI (富士電機総研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 60th  Issue： 2  Page： 810  Publication year： Sep. 01, 1999 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (2)： Si ,  層