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J-GLOBAL ID：200902176169967884   Reference number：98A0562327

Dopant Activation and Surface Morphology of Ion Implanted 4H- and 6H-Silicon Carbide.

イオン注入した4H-SiCと6H-SiCのドーパント活性化と表面形態

Author (5)： CAPANO M A (Purdue Univ., IN) ,  RYU S (Purdue Univ., IN) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN) ,  COOPER J A JR (Purdue Univ., IN) ,  BUSS M R (Purdue Univ., IN)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 27  Issue： 4  Page： 370-376  Publication year： Apr. 1998 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： AFM【顕微鏡】

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JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (6)： イオン注入 ,  4H-SiC ,  6H-SiC ,  ドーパント ,  活性化 ,  表面形態