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J-GLOBAL ID：200902176223850483   Reference number：98A0135314

The effect of the III/V ratio and substrate temperature on the morphology and properties of GaN- and AlN-layers grown by molecular beam epitaxy on Si(111).

Si(111)上に分子ビームエピタクシーにより成長させたGaN及びAlN層の形態と特性へのIII/V比と基板温度の影響

Author (7)： SANCHEZ-GARCIA M A (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLEJA E (UPM, Madrid, ESP) ,  MONROY E (UPM, Madrid, ESP) ,  SANCHEZ F J (UPM, Madrid, ESP) ,  CALLE F (UPM, Madrid, ESP) ,  MUNOZ E (UPM, Madrid, ESP) ,  BERESFORD R (UPM, Madrid, ESP)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 183  Issue： 1/2  Page： 23-30  Publication year： Jan. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： Si ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaN ,  AlN ,  形態 ,  基板温度