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J-GLOBAL ID：200902176894345600   Reference number：98A0793852

Dislocation generation in GaN heteroepitaxy.

GaNヘテロエピタキシーにおける転位の生成

Author (8)： WU X H (Univ. California, CA, USA) ,  FINI P (Univ. California, CA, USA) ,  TARSA E J (Univ. California, CA, USA) ,  HEYING B (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA U K (Univ. California, CA, USA) ,  DEN BAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  SPECK J S (Univ. California, CA, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 189/190  Page： 231-243  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (3)： GaN ,  ヘテロエピタキシー ,  転位