Art

J-GLOBAL ID：200902177978446840   Reference number：02A0641043

First-Principles Calculation of the Epitaxial Growth of GaN(0001).

GaN(0001)のエピタキシャル成長に関する第一原理計算

Author (3)： ISHII A (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  MIYAKE D (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  AISAKA T (Tottori Univ., Tottori, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 7B  Page： L842-L845  Publication year： Jul. 15, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...
Semi thesaurus term： surface lateral superlattice

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0641043&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (28)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) R. F. Davis, Z. Sitar and B. E. Williams: J. Mater. Sci. Eng. B1 (1988) 77.
• 3) R. F. Davis: Proc. IEEE 79 (1991) 702.
• 4) S. Strite and H. Morkoc: J. Vac. Sci. & Technol. B10 (1992) 1237.
• 5) M. J. Paisley and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 127 (1993) 136.

Terms in the title (3)： GaN ,  エピタキシャル成長 ,  第一原理計算