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J-GLOBAL ID：200902177978446840   Reference number：02A0641043

First-Principles Calculation of the Epitaxial Growth of GaN(0001).

GaN(0001)のエピタキシャル成長に関する第一原理計算

Author (3)： ISHII A (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  MIYAKE D (Tottori Univ., Tottori, JPN) ,  AISAKA T (Tottori Univ., Tottori, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 7B  Page： L842-L845  Publication year： Jul. 15, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Reference (28)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) R. F. Davis, Z. Sitar and B. E. Williams: J. Mater. Sci. Eng. B1 (1988) 77.
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• 5) M. J. Paisley and R. F. Davis: J. Cryst. Growth 127 (1993) 136.

Terms in the title (3)： GaN ,  エピタキシャル成長 ,  第一原理計算