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J-GLOBAL ID：200902178120827583   Reference number：96A0555506

Self-organization processes of InGaAs/GaAs quantum dots grown by metalorganic chemical vapor deposition.

有機金属化学気相成長によって成長させたInGaAs/GaAs量子ドットの自己組織化過程

Author (6)： HEINRICHSDORFF F (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KROST A (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  GRUNDMANN M (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  BIMBERG D (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  KOSOGOV A (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  WERNER P (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 23  Page： 3284-3286  Publication year： Jun. 03, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： 有機金属化学 ,  気相成長 ,  成長 ,  InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  自己組織化 ,  過程