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J-GLOBAL ID：200902178287327752   Reference number：02A0853982

Local structure of Ge quantum dots self-assembled on Si(100) probed by x-ray absorption fine-structure spectroscopy.

X線吸収微細構造分光法によりプローブしたSi(100)上に自己集合したGe量子ドットの局所構造

Author (6)： KOLOBOV A V (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OYANAGI H (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  WEI S (Univ. Sci. & Technol. China, Anhui, CHN) ,  BRUNNER K (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  ABSTREITER G (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  TANAKA K (Angstrom Technol. Partnership, Ibaraki, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 66  Issue： 7  Page： 075319.1-075319.6  Publication year： Aug. 15, 2002 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (8)： X線吸収微細構造 ,  分光法 ,  プローブ ,  Si ,  自己集合 ,  Ge ,  量子ドット ,  局所構造