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J-GLOBAL ID：200902178613535786   Reference number：98A0662109

Investigation of the research and development results of SI devices.[ 3 ]. 3. Characteristic improvement technique for electrostatically-inductive rectifier diodes.

SIデバイスの研究開発成果を追う [第3回] 3. 静電誘導型整流ダイオードの特性改善手法

Author (5)： YANO KOJI (山梨大 工) ,  HENMI ISAO (山梨大 工) ,  OBARA HIDEYASU (山梨大 工) ,  KASUGA MASANOBU (山梨大 工) ,  SHIMIZU AZUMA (山梨大 工)
Material： 電子材料  (Electronic Parts and Materials)
Volume： 37  Issue： 7  Page： 86-91  Publication year： Jul. 1998 
JST Material Number： F0040A  ISSN： 0387-0774  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *diode ,...
Semi thesaurus term： 横型ダイオード ,...

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JST classification (1)： Diodes  (NC03050R)

Terms in the title (8)： Si ,  研究 ,  開発 ,  成果 ,  静電誘導 ,  整流ダイオード ,  特性改善 ,  手法