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J-GLOBAL ID：200902178780550185   Reference number：01A0282634

Electronic structure of β-FeSi₂ modified by r.f.-plasma of semiconducting SiH₄, GeH₄ gas.

半導体SiH₄,GeH₄ガスのrfプラズマにより修飾したβ-FeSi₂の電子構造

Author (5)： MATSUBARA K (Sci. Univ. Tokyo in Yamaguchi, Onoda, JPN) ,  NAGAO K (UBE Ind., Co. Ltd., Ube, JPN) ,  KISHIMOTO K (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  ANNO H (Sci. Univ. Tokyo in Yamaguchi, Onoda, JPN) ,  KOYANAGI T (Yamaguchi Univ., Ube, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 381  Issue： 2  Page： 183-187  Publication year： Jan. 15, 2001 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： iron compound ,...
Semi thesaurus term： *plasma treatment ,...

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JST classification (3)： Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X) ,  Applications of plasma  (BJ02110K)

Terms in the title (5)： SiH4 ,  GeH4 ,  RFプラズマ ,  修飾 ,  電子構造