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J-GLOBAL ID：200902179397265287   Reference number：98A0847917

The effect of the Si/N treatment of a nitridated sapphire surface on the growth mode of GaN in low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy.

低圧の有機金属気相エピタクシーにおけるGaNの成長モードに及ぼす窒化したサファイア表面のSi/N処理の影響

Author (7)： HAFFOUZ S (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  LAHRECHE H (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  VENNEGUES P (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  DE MIERRY P (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  BEAUMONT B (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  OMNES F (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  GIBART P (Centre de Rech. Hetero-epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 9  Page： 1278-1280  Publication year： Aug. 31, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： 低圧 ,  有機金属気相エピタクシー ,  GaN ,  成長モード ,  窒化 ,  サファイア ,  Si