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J-GLOBAL ID：200902179567013407   Reference number：00A0157641

Mg-doped GaN: Similar defects in bulk crystals and layers grown on Al₂O₃ by metal-organic chemical-vapor deposition.

MgをドープしたGaN バルク結晶中および金属有機化学蒸着によってAl₂O₃上に成長させた層中の同じ欠陥

Author (9)： LILIENTAL-WEBER Z (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  BENAMARA M (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  SWIDER W (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  WASHBURN J (Lawrence Berkeley National Lab., California) ,  GRZEGORY I (High Pressure Res. Center “Unipress”, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  POROWSKI S (High Pressure Res. Center “Unipress”, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  LAMBERT D J H (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  EITING C J (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  DUPUIS R D (Univ. Texas at Austin, Texas)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 26  Page： 4159-4161  Publication year： Dec. 27, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (9)： Mg ,  ドープ ,  GaN ,  バルク結晶 ,  金属有機化学蒸着 ,  Al2O3 ,  成長 ,  層 ,  欠陥