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J-GLOBAL ID：200902179944204166   Reference number：96A0774095

Comparative study of phonon-limited mobility of two-dimensional electrons in strained and unstrained Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

歪および無歪Si金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタにおける二次元電子のフォノン支配移動度の比較

Author (4)： TAKAGI S (Stanford Univ., California) ,  HOYT J L (Stanford Univ., California) ,  WELSER J J (Stanford Univ., California) ,  GIBBONS J F (Stanford Univ., California)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 80  Issue： 3  Page： 1567-1577  Publication year： Aug. 01, 1996 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： conduction band ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (8)： 歪 ,  Si ,  酸化膜 ,  電界効果トランジスタ ,  電子 ,  フォノン ,  支配 ,  移動度