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J-GLOBAL ID：200902180333828839   Reference number：00A0742424

Thermoelectric properties of Sb-doping in the TiNiSn_1-xSb_x half-heusler system.

TiNiSn_1-xSb_xハーフホイスラー系におけるSbドーピングの熱電特性

Author (7)： BHATTACHARYA S (Clemson Univ., SC, USA) ,  PONNAMBALAM V (Univ. Virginia, VA, USA) ,  POPE A L (Clemson Univ., SC, USA) ,  ALBONI P N (Clemson Univ., SC, USA) ,  XIA Y (Univ. Virginia, VA, USA) ,  TRITT T M (Clemson Univ., SC, USA) ,  POON S J (Univ. Virginia, VA, USA)
Material： International Conference on Thermoelectrics  (Proceedings. International Conference on Thermoelectrics)
Volume： 18th  Page： 336-339  Publication year： 1999 
JST Material Number： W1211A  ISSN： 1094-2734  Document type： Proceedings
Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： ホイスラー ,  Sb ,  ドーピング ,  熱電特性