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J-GLOBAL ID：200902180381112632   Reference number：98A0807081

Photo-Enhanced Activation of Hydrogen-Passivated Magnesium in P-Type GaN Films.

p型GaN膜中の水素で不活性化したマグネシウムの光促進活性化

Author (3)： KAMIURA Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  YAMASHITA Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 37  Issue： 8B  Page： L970-L971  Publication year： Aug. 15, 1998 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Reference (12)：

• 1) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Inst. Phys. Conf. Ser. 106 (1989) 725.
• 2) H. Amano, M. Kito, K. Hiramatsu and I. Akasaki: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) L2112.
• 3) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) L139.
• 4) S. Nakamura, N. Iwasa, M. Senoh and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 1258.
• 5) W. Götz, N. M. Johnson, J. Walker, D. P. Bour, H. Amano and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 2666

Terms in the title (6)： GaN ,  水素 ,  不活性化 ,  マグネシウム ,  促進 ,  活性化