Art

J-GLOBAL ID：200902180508751931   Reference number：94A0146114

Self-organized growth of regular nanometer-scale InAs dots on GaAs.

GaAs上における規則的なナノメータスケールのInAsドットの自己組織化成長

Author (6)： MOISON J M (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  HOUZAY F (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  BARTHE F (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  LEPRINCE L (France Telecom, Bagneux, FRA) ,  ANDRE E (France Telecom, Meylan, FRA) ,  VATEL O (France Telecom, Meylan, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 64  Issue： 2  Page： 196-198  Publication year： Jan. 10, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MBE growth ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0146114&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (8)： GaAs ,  規則 ,  ナノメータ ,  スケール ,  InAs ,  ドット ,  自己組織化 ,  成長