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J-GLOBAL ID：200902180745885144   Reference number：96A0932377

Low off-state leakage current thin-film transistor using Cl incorporated hydrogenated amorphous silicon.

Clが入った水素化非晶質シリコンを用いた低オフ状態漏れ電流の薄膜トランジスタ

Author (5)： LEE K S (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI J H (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  KIM S K (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  JEON H B (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  JANG J (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 69  Issue： 16  Page： 2403-2405  Publication year： Oct. 14, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： amorphous semiconductor ,...

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JST classification (2)： Transistors  (NC03070N) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Terms in the title (6)： Cl ,  水素化 ,  非晶質シリコン ,  オフ状態 ,  漏れ電流 ,  薄膜トランジスタ