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J-GLOBAL ID：200902180746443293   Reference number：02A0307786

Recent Power Devices Trend.

最新のパワーデバイスの動向 シリコンパワーデバイスの限界と突破技術
Author (1)：
OHASHI HIROMICHI

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(東芝 研開セ)

About 東芝 研開セ


Material：
電気学会誌  (電気学会雑誌)

About 電気学会誌


Volume： 122  Issue： 3  Page： 168-171  Publication year： Mar. 01, 2002 
JST Material Number： F0011A  ISSN： 1340-5551  CODEN： DGZAAW  Document type： Article
Article type： 解説  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)
Thesaurus term：
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*semiconductor device

About semiconductor device

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Semi thesaurus term：
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シリコン

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JST classification (1)：
JST classification
Category name(code) classified by JST.
Solic-state devices in general 
(NC03010Z)

About Solic-state devices in general

Reference (20)：
  • 東芝レビュー. 1999
  • SHENAI, K. IEEE, EDL. 1989, 10, 153
  • SHENAI, K. IEEE, EDL. 1991, 12, 108
  • 末代. 東芝レビュー. 1999, 11, 28
  • LORENZ, L. Proc. Power Conversion. 1998
ｍore...
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パワーデバイス

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動向

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シリコン

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限界

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