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J-GLOBAL ID：200902181056893055   Reference number：02A0200701

Thermally Stable Ultra-Thin Nitrogen Incorporated ZrO₂ Gate Dielectric Prepared by Low Temperature Oxidation of ZrN.

ZrNの低温酸化により形成した熱的に安定な超薄の窒素化処理を行ったZrO₂ゲート誘電体膜

Author (8)： KOYAMA M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SUGURO K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  YOSHIKI M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KAMIMUTA Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KOIKE M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  OHSE M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  HONGO C (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NISHIYAMA A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 2001  Page： 459-462  Publication year： 2001 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *dielectric thin film ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (3)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Insulating materials  (NA04030W)

Terms in the title (5)： 低温酸化 ,  窒素 ,  ZrO2 ,  ゲート ,  誘電体膜