Art

J-GLOBAL ID：200902181448506513   Reference number：03A0083997

High Output Power 365nm Ultraviolet Light Emitting Diode of GaN-Free Structure.

GaNを含まない構造の高出力365nm紫外発光ダイオード

Author (6)： MORITA D (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SANO M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  YAMAMOTO M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MURAYAMA T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  NAGAHAMA S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 12B  Page： L1434-L1436  Publication year： Dec. 15, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nitride ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (17)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senou: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: J. Appl. Phys. 76 (1994) 8189.
• 3) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.
• 4) T. Mukai, D. Morita and S. Nakamura: J. Cryst. Growth 189/190 (1998) 778.
• 5) T. Mukai, M. Yamada and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1358.

Terms in the title (3)： GaN ,  高出力 ,  紫外発光ダイオード