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J-GLOBAL ID：200902181539836753   Reference number：99A0975881

Surface core-level shift photoelectron diffraction study of β-SiC(001)-c(2×2) surface.

β-SiC(001)-c(2×2)表面の表面内殻準位シフト光電子回折研究

Author (7)： SHIMOMURA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YEOM H W (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MUN B S (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  FADLEY C S (Lawrence Berkeley National Lab., CA, USA) ,  HARA S (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN) ,  YOSHIDA S (Electrotechnical Lab., Tsukuba, JPN) ,  KONO S (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Surface Science  (Surface Science Letters)
Volume： 438  Issue： 1/3  Page： 237-241  Publication year： Sep. 10, 1999 
JST Material Number： C0129B  ISSN： 0039-6028  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...

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JST classification (2)： Electronic structure of surfaces  (BM02080J) ,  Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (5)： SiC ,  内殻準位 ,  シフト ,  光電子回折 ,  研究